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HYG180N10LS1C2中文资料N MOSFET数据手册Huayi规格书
HYG180N10LS1C2规格书详情
描述 Description
此器件为100V、16.5mΩ、PDFN8L(5x6)封装产品,采用SGT流片工艺,该器件可满足如AC-DC、DC-DC等应用领域
技术参数
- 制造商编号
:HYG180N10LS1C2
- 生产厂家
:Huayi
- ID@TC=25℃
:46
- RDS(on) Max 10V(mΩ)
:21
- PD@TC=25℃ (W)
:83.3
- Vgs(±V)
:20
- Vth (V)
:1~3
- Ciss Typ(pF)
:1548
- Qg Typ(nC)
:23.8
- Configuration
:Single - N
- Package
:PDFN8L(5x6)
- Application
:DC-DC / 电源
- Status
:MP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
HY |
2024+ |
SOP-8 |
500000 |
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HY |
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PPAK5*6 |
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HY |
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HY |
25+ |
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原厂原装,价格优势 |
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HY/华羿微 |
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PPAK5*6 |
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HY/华羿微 |
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PPAK5*6 |
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全新原装正品,现货销售 |
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HUAYI/华羿微 |
25+ |
PPAK5*6 |
5000 |
一级代理 |
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HUAYI(华羿微) |
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TO-252-2 |
500000 |
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HY |
25+ |
TO-252 |
20000 |
原装正品价格优惠,志同道合共谋发展 |
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