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HYG045P03LQ1B	文件：300 bytes Page：1 Pages	P MOSFET 此器件为P 沟道、30V耐压、内阻4.1mΩ、TO-263-2L封装产品，芯片采用Trench工艺设计，该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足如电池保护、负载开关、电机驱动等应用领域。\n 低内阻 \n优异的FOM值\n符合RoHS标准 \n100% DVDS测试\n100% UIL测试 \n领先的封装工艺 \n;	Huayi 华羿微电	Huayi
HYG045P03LQ1D	文件：1.56619 Mbytes Page：11 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：1.56619 Mbytes 页数：11 Pages	HUAYI 华羿微电	HUAYI
HYG045P03LQ1U	文件：1.56619 Mbytes Page：11 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：1.56619 Mbytes 页数：11 Pages	HUAYI 华羿微电	HUAYI
HYG045P03LQ1V	文件：1.56619 Mbytes Page：11 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：1.56619 Mbytes 页数：11 Pages	HUAYI 华羿微电	HUAYI

技术参数

ID@TC=25℃：
-100
RDS(on) Max 10V(mΩ)：
5
RDS(on) Max 4.5V(mΩ)：
7.5
PD@TC=25℃ (W)：
100
Vgs(±V)：
20
Vth (V)：
-1~-3
Ciss Typ(pF)：
7442
Qg Typ(nC)：
145.6
Configuration：
Single - P
Package：
TO-263-2L
Application：
电池保护板 / 负载开关
Status：
MP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HYG045P03LQ1B供应商更新时间2025-11-27 11:06:00

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