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HYG045P03LQ1B中文资料P MOSFET数据手册Huayi规格书
HYG045P03LQ1B规格书详情
描述 Description
此器件为P 沟道、30V耐压、内阻4.1mΩ、TO-263-2L封装产品，芯片采用Trench工艺设计，该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足如电池保护、负载开关、电机驱动等应用领域。
特性 Features
低内阻
优异的FOM值
符合RoHS标准
100% DVDS测试
100% UIL测试
领先的封装工艺
应用 Application
锂电池保护板
负载开关
技术参数
- 制造商编号
：HYG045P03LQ1B
- 生产厂家
：Huayi
- ID@TC=25℃
：-100
- RDS(on) Max 10V(mΩ)
：5
- RDS(on) Max 4.5V(mΩ)
：7.5
- PD@TC=25℃ (W)
：100
- Vgs(±V)
：20
- Vth (V)
：-1~-3
- Ciss Typ(pF)
：7442
- Qg Typ(nC)
：145.6
- Configuration
：Single - P
- Package
：TO-263-2L
- Application
：电池保护板 / 负载开关
- Status
：MP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HY/华羿微 |
20+ |
PDFN(5*6)-8L |
40 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
DIODES |
24+ |
SOT-223-3 |
39500 |
进口原装现货 支持实单价优 |
询价 | ||
HUAYI/华羿微 |
25+ |
TO-263-2L |
5000 |
一级代理 |
询价 | ||
HUAYI(华羿微) |
25+ |
TO-263-2 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
HY |
25+ |
PPAK5×6-8L |
20000 |
原装正品价格优惠,志同道合共谋发展 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
D2PAK |
986966 |
国产 |
询价 | ||
HY/华羿微 |
23+ |
PDFN(5*6)-8L |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
64000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
HY |
24+ |
PPAK5×6-8L |
15000 |
只做原装正品现货欢迎来电查询15919825718 |
询价 | ||
HUAYI/华羿微 |
25+ |
TO-263-2L |
188600 |
全新原厂原装正品现货 欢迎咨询 |
询价 |
