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HYG045P03LQ1D中文资料华羿微电数据手册PDF规格书

HYG045P03LQ1D
厂商型号

HYG045P03LQ1D

功能描述

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

丝印标识

G045P03

封装外壳

TO-252-2L

文件大小

1.56619 Mbytes

页面数量

11

生产厂商 HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.
企业简称

HUAYI华羿微电

中文名称

华羿微电子股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-10 18:02:00

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