丝印：HY3610；Package：TO220-3L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features · 100V/160A RDS(ON) = mW (typ.) @ VGS =10V · 100% avalanche tested · Reliable and Rugged · Lead Free andGreenDevicesAvailable (RoHS Compliant) Applications · Switching application · Power Management for Inverter Systems

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HOOYI

后羿半导体

丝印：HY3003；Package：TO-263-2L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：507.62 Kbytes 页数：11 Pages

HUAYI

华羿微电

丝印：HY3003；Package：TO-252-2L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：911.15 Kbytes 页数：12 Pages

HUAYI

华羿微电

丝印：HY3003；Package：TO-220FB-3L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：507.62 Kbytes 页数：11 Pages

HUAYI

华羿微电

丝印：HY3003；Package：TO-251-3L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：911.15 Kbytes 页数：12 Pages

HUAYI

华羿微电

丝印：HY3003；Package：TO-251-3S；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：911.15 Kbytes 页数：12 Pages

HUAYI

华羿微电

丝印：HY3006；Package：PPAK5-8L；Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：840.36 Kbytes 页数：9 Pages

HUAYI

华羿微电

丝印：HY3010；Package：TO-252-2L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：2.18915 Mbytes 页数：11 Pages

HUAYI

华羿微电

丝印：HY3010；Package：TO-220FB-3L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：412.49 Kbytes 页数：11 Pages

HUAYI

华羿微电

丝印：HY3010；Package：TO-251-3L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：2.18915 Mbytes 页数：11 Pages

HUAYI

华羿微电