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HUF76633P3	文件：218.32 Kbytes Page：10 Pages	38A, 100V, 0.036 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.035Ω,VGS=10V -rDS(ON)=0.036Ω,VGS=5V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER™ElectricalModels -SpiceandSABERThermalImpedanceModels -www.Fairchildsemi.com •PeakCurrentvsPulseWi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HUF76633P3	文件：337.87 Kbytes Page：9 Pages	38A, 100V, 0.036 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.035Ω,VGS=10V -rDS(ON)=0.036Ω,VGS=5V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER©ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels -www.Intersil.com •PeakCurrentvsPulseWidth	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HUF76633P3	文件：986.08 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
HUF76633P3	文件：300 bytes Page：1 Pages	38A, 100V, 0.036 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET;	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
HUF76633P3_F085	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，逻辑电平，UltraFET 功率 MOSFET，100V，38A，36mΩ; 超低导通电阻- rDS(ON)typ = 0.029 Ω、VGS = 10 V- rDS(ON)max = 0.035 Ω、VGS = 10 V\n 仿真模型- 温度补偿式PSPICE®和SABER™ 电气模型- SPICE 和 SABER 热阻抗模型- www.fairchildsemi.com\n 峰值电流与脉宽曲线\n UIS额定值曲线\n 开关时间与 RGS 曲线\n 符合 AEC Q101\n 符合 RoHS 标准\n; N-Channel Logic Level UltraFET® Power MOSFET 100 V, 38 A, 36 mΩ	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
HUF76633P3_12	文件：375.61 Kbytes Page：10 Pages	38A, 100V, 0.036 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET짰 Power MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

技术参数

Compliance：
AEC QualifiedPPAP CapablePb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
N-Channel Logic Level UltraFET® Power MOSFET 100V
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
V(BR)DSS Min (V)：
100
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
3
ID Max (A)：
38
PD Max (W)：
145
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
37
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
35
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
56
Ciss Typ (pF)：
1820
Package Type：
TO-220-3

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