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HUF75623P3	文件：199.64 Kbytes Page：10 Pages	22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.064Ω, VGS = 10V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Electrical Models - Spice and SABER Thermal Impedance Models - www.fairchildsemi.com • Peak Current vs Pulse Width Curve • UIS Rating Curve 文件：199.64 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
HUF75623P3	文件：99.54 Kbytes Page：9 Pages	22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.064Ω, VGS = 10V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER© Electrical Models - Spice and SABER© Thermal Impedance Models - www.intersil.com • Peak Current vs Pulse Width Curve • UIS Rating Curve 文件：99.54 Kbytes 页数：9 Pages	INTERSIL	INTERSIL
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HUFA75623P3	文件：199.7 Kbytes Page：10 Pages	22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.064Ω, VGS = 10V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Electrical Models - Spice and SABER Thermal Impedance Models - www.fairchildsemi.com • Peak Current vs Pulse Width Curve • UIS Rating Curve 文件：199.7 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

详细参数

型号：
HUF75623P3
功能描述：
MOSFET 22a 100V N-Ch UltraFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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