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HUF75652G3	文件：545.33 Kbytes Page：12 Pages	MOSFET??Power,N-Channel,Ultrafet100V,75A,8m	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
HUF75652G3	文件：344 Kbytes Page：9 Pages	75A,100V,0.008Ohm,N-ChannelUltraFETPowerMOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.008Ω,VGS=10V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER©ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels -www.semi.Intersil.com •PeakCurrentvsPulseWidthCurve •UISRatingCurve	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HUF75652G3	文件：195.45 Kbytes Page：10 Pages	75A,100V,0.008Ohm,N-ChannelUltraFETPowerMOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.008Ω,VGS=10V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER™ElectricalModels -SpiceandSABERThermalImpedanceModels -www.fairchildsemi.com •PeakCurrentvsPulseWidthCurve •UISRatingCurve	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HUFA75652G3	文件：373.14 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRITION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
HUFA75652G3	文件：195.8 Kbytes Page：10 Pages	75A,100V,0.008Ohm,N-ChannelUltraFETPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
HUF75652G3_Q
功能描述：
MOSFET 75a 100VN-Ch MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多HUF75652G3_Q供应商更新时间2025-5-17 13:30:00

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