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HSB	文件：407.67 Kbytes Page：24 Pages	型号：ADA4851-2YRMZ；Package：MSOP；Low Cost, High Speed, Rail-to-Rail, Output Op Amps FEATURES Qualified for automotive applications High speed 130 MHz, −3 dB bandwidth 375 V/μs slew rate 55 ns settling time to 0.1% Excellent video specifications 0.1 dB flatness: 11 MHz Differential gain: 0.08% Differential phase: 0.09° Fully specified at +3 V, +5 V, and ±5 V supp 文件：407.67 Kbytes 页数：24 Pages	亚德诺	ETC
HSB	文件：407.67 Kbytes Page：24 Pages	型号：ADA4851-2YRMZ-RL；Package：MSOP；Low Cost, High Speed, Rail-to-Rail, Output Op Amps FEATURES Qualified for automotive applications High speed 130 MHz, −3 dB bandwidth 375 V/μs slew rate 55 ns settling time to 0.1% Excellent video specifications 0.1 dB flatness: 11 MHz Differential gain: 0.08% Differential phase: 0.09° Fully specified at +3 V, +5 V, and ±5 V supp 文件：407.67 Kbytes 页数：24 Pages	亚德诺	ETC
HSB	文件：407.67 Kbytes Page：24 Pages	型号：ADA4851-2YRMZ-RL7；Package：MSOP；Low Cost, High Speed, Rail-to-Rail, Output Op Amps FEATURES Qualified for automotive applications High speed 130 MHz, −3 dB bandwidth 375 V/μs slew rate 55 ns settling time to 0.1% Excellent video specifications 0.1 dB flatness: 11 MHz Differential gain: 0.08% Differential phase: 0.09° Fully specified at +3 V, +5 V, and ±5 V supp 文件：407.67 Kbytes 页数：24 Pages	亚德诺	ETC
	文件：27.76 Kbytes Page：5 Pages	型号：HSB0104YP；Silicon Schottky Barrier Diode for High Speed Switching Features • Can be used for protection of signal-bus lines. • The mounting efficiency has been improved by incorporating two low-loss diode element into a CMPAK-4 package. 文件：27.76 Kbytes 页数：5 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
	文件：76.11 Kbytes Page：5 Pages	型号：HSB0104YP；Silicon Schottky Barrier Diode for High Speed Switching Features • Can be used for protection of signal-bus lines. • The mounting efficiency has been improved by incorporating two low-loss diode element into a CMPAK-4 package. 文件：76.11 Kbytes 页数：5 Pages	瑞萨	ETC
	文件：384.98 Kbytes Page：3 Pages	型号：HSB02-101007；HEAT SINK FEATURES • BGA design • small footprint • aluminum alloy • black anodized finish 文件：384.98 Kbytes 页数：3 Pages		ETC
	文件：362.36 Kbytes Page：3 Pages	型号：HSB03-141406；HEAT SINK FEATURES • BGA design • small footprint • aluminum alloy • black anodized finish 文件：362.36 Kbytes 页数：3 Pages		ETC
	文件：389.73 Kbytes Page：3 Pages	型号：HSB10-232306；HEAT SINK FEATURES • BGA design • top mount • aluminum alloy • black anodized finish 文件：389.73 Kbytes 页数：3 Pages		ETC
	文件：33.34 Kbytes Page：3 Pages	型号：HSB1109；PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Features • Low frequency high voltage amplifier • Complementary pair with HSD1609 文件：33.34 Kbytes 页数：3 Pages	华昕	ETC
	文件：36.81 Kbytes Page：4 Pages	型号：HSB1109S；PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HSB1109S is designed for low frequency and high voltage amplifier applications complementary pair with HSD1609S. 文件：36.81 Kbytes 页数：4 Pages	华昕	ETC

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详细参数

型号：
HSB
功能描述：
IC OPAMP VF R-R DUAL LP 8MSOP
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation
系列：
-
标准包装：
160
放大器类型：
通用
电路数：
4
输出类型：
满摆幅
转换速率：
10 V/µs
增益带宽积：
9MHz
-3db带宽：
- 电流 -
输入偏压：
1pA 电压 -
输入偏移：
250µV 电流 -
电源：
730µA 电流 -
输出/通道：
28mA 电压 -
电源，单路/双路(±)：
2.7 V ~ 5.5 V，±1.35 V ~ 2.75 V
工作温度：
-40°C ~ 125°C
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商设备封装：
16-SOIC N
包装：
管件

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