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IRF3205	文件：139.86 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF3205	文件：5.0983 Mbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnologyUltraLowOn-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF3205	文件：970.8 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelTrenchProcessPowerMOSFETTransistor	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
IRF3205	文件：598.69 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETPowerMOSFET	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRF3205	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRF3205DD	文件：543.27 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelPowerMOSFET(55V/110A)	FS First Silicon Co., Ltd	FS
IRF3205L	文件：160.74 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=8.0mohm,Id=110A?? VDSS=55V RDS(on)=8.0mΩ ID=110A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesign	IRF International Rectifier	IRF
IRF3205L	文件：609.74 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
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IRF3205L	文件：1.17944 Mbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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详细参数

型号：
HRF3205
功能描述：
MOSFET TO-220AB N-Ch Power
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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