IRF3205L中文资料IRF数据手册PDF规格书
IRF3205L规格书详情
VDSS= 55V
RDS(on)= 8.0mΩ
ID= 110A
Description
Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
产品属性
- 型号：
IRF3205L
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 110A TO-262
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
23+ |
TO262 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
2023+ |
TO262 |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
询价 | ||
IR |
22+ |
TO-220 |
88596 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-26 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ir |
24+ |
500000 |
行业低价,代理渠道 |
询价 | |||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO262 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-262 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
TO262 |
6000 |
询价 | ||||
IR |
24+ |
TO-220 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-262 |
35000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
询价 |
