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IRF3205PBF	文件：176.66 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF3205PBF	文件：221.54 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF3205PBF.	文件：92.66 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=8.0mohm,Id=110A?? FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthe	IRF International Rectifier	IRF
IRF3205S	文件：160.74 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=8.0mohm,Id=110A?? VDSS=55V RDS(on)=8.0mΩ ID=110A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesign	IRF International Rectifier	IRF
IRF3205S	文件：609.74 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF3205S	文件：1.09156 Mbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF3205S	文件：618.88 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF3205S	文件：266.94 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF3205S	文件：505.03 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch60VFastSwitchingMOSFETs SuperLowGateCharge 100EASGuaranteed GreenDeviceAvailable ExcellentCdV/dteffectdecline AdvancedhighcelldensityTrenchtechnology	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRF3205SPBF	文件：277.34 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET VDSS=55V RDS(on)=8.0mΩ ID=110A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFE	IRF International Rectifier	IRF

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详细参数

型号：
HRF3205
功能描述：
MOSFET TO-220AB N-Ch Power
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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