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HN1B01F	文件：270.58 Kbytes Page：5 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS) Audio-Frequency General-PurposeAmplifier Applications Q1: High voltage and high current : VCEO= −50 V, IC = −150 mA (max) High hFE : hFE = 120~400 Excellent hFElinearity : hFE(IC= −0.1 mA) / hFE(IC= −2 mA) = 0.95 (typ.) Q2: High voltage and high current : VCE 文件：270.58 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1B01F	文件：374.87 Kbytes Page：6 Pages	Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Audio-Frequency General-PurposeAmplifier Applications Q1: High voltage and high current : VCEO= −50 V, IC = −150 mA (max) High hFE : hFE = 120~400 Excellent hFElinearity : hFE(IC= −0.1 mA) / hFE(IC= −2 mA) = 0.95 (typ.) Q2: High voltage and high current : VCE 文件：374.87 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1B01F	文件：374.88 Kbytes Page：6 Pages	Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Q1: High voltage and high current : VCEO= −50V, IC = −150mA (max) High hFE : hFE = 120~400 Excellent hFElinearity : hFE(IC= −0.1mA) / hFE(IC= −2mA) = 0.95 (typ.) Q2: High voltage and high current : VCEO= 文件：374.88 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1B01F	文件：374.88 Kbytes Page：6 Pages	Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Q1: High voltage and high current : VCEO= −50V, IC = −150mA (max) High hFE : hFE = 120~400 Excellent hFElinearity : hFE(IC= −0.1mA) / hFE(IC= −2mA) = 0.95 (typ.) Q2: High voltage and high current : VCEO= 文件：374.88 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1B01FDW1T1	文件：55.59 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor PNP and NPN Surface Mount Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor PNP and NPN Surface Mount Features • High Voltage and High Current: VCEO = 50 V, IC = 200 mA • High hFE: hFE = 200~400 • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating − Human Body Model: 3A − Machine Model: C • Pb−F 文件：55.59 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
HN1B01FDW1T1G	文件：55.59 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor PNP and NPN Surface Mount Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor PNP and NPN Surface Mount Features • High Voltage and High Current: VCEO = 50 V, IC = 200 mA • High hFE: hFE = 200~400 • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating − Human Body Model: 3A − Machine Model: C • Pb−F 文件：55.59 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
HN1B01FDW1T1G	文件：69.2 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor PNP and NPN Surface Mount Features • High Voltage and High Current: VCEO = 50 V, IC = 200 mA • High hFE: hFE = 200~400 • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating ♦ Human Body Model: 3A ♦ Machine Model: C • S Prefix for Automo 文件：69.2 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
HN1B01FU	文件：268.64 Kbytes Page：5 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Q1: High voltage and high current : VCEO= −50V, IC = −150mA (max) High hFE : hFE = 120~400 Excellent hFElinearity : hFE(IC= −0.1mA) / hFE(IC= −2mA) = 0.95 (typ.) Q2: High voltage and high current : VCEO= 文件：268.64 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1B01FU-GR	文件：374.88 Kbytes Page：6 Pages	Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Q1: High voltage and high current : VCEO= −50V, IC = −150mA (max) High hFE : hFE = 120~400 Excellent hFElinearity : hFE(IC= −0.1mA) / hFE(IC= −2mA) = 0.95 (typ.) Q2: High voltage and high current : VCEO= 文件：374.88 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1B01FU-Y	文件：374.88 Kbytes Page：6 Pages	Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Q1: High voltage and high current : VCEO= −50V, IC = −150mA (max) High hFE : hFE = 120~400 Excellent hFElinearity : hFE(IC= −0.1mA) / hFE(IC= −2mA) = 0.95 (typ.) Q2: High voltage and high current : VCEO= 文件：374.88 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
HN1B
功能描述：
两极晶体管 - BJT 200mA 60V Dual Complementary
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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