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HN1B01FDW1T1G
厂商型号

HN1B01FDW1T1G

功能描述

Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor PNP and NPN Surface Mount

文件大小

55.59 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-2 9:03:00

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HN1B01FDW1T1G规格书详情

Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor

PNP and NPN Surface Mount

特性 Features

• High Voltage and High Current: VCEO = 50 V, IC = 200 mA

• High hFE: hFE = 200~400

• Moisture Sensitivity Level: 1

• ESD Rating − Human Body Model: 3A

− Machine Model: C

• Pb−Free Package is Available

产品属性

  • 型号:

    HN1B01FDW1T1G

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT 200mA 60V Dual Complementary

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
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30000
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ONSEMI/安森美
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