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HN1D01F	文件：125.21 Kbytes Page：2 Pages	DIODE (ULTRAL HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS) Ultra-High-Speed Switching Applications ● Small package ● Low forward voltage : VF (3) = 0.92 V (typ.) ● Fast reverse recovery time : trr = 1.6 ns (typ.) ● Small total capacitance : CT = 2.2 pF (typ.) 文件：125.21 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1D01F	文件：231.52 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Epitaxial Planar Type Ultra-High-Speed Switching Applications 文件：231.52 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1D01FE	文件：298.5 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Epitaxial Planar Type Ultra High Speed Switching Application Ultra High Speed Switching Application ● HN1D02FU is composed of 2 unit of cathode common. ● Low forward voltage : VF (3) = 0.92V (typ.) ● Fast reverse recovery time : trr = 1.6ns (typ.) ● Small total capacitance : CT = 2.2pF (typ.) 文件：298.5 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1D01FU	文件：129.229 Kbytes Page：2 Pages	DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS) Ultra High Speed Switching Application ● Small package ● Low forward voltage: VF (3) = 0.92 V (typ.) ● Fast reverse recovery time: trr = 1.6 ns (typ.) ● Small total capacitance: CT = 2.2 pF (typ.) 文件：129.229 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1D01F_07	文件：231.52 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Epitaxial Planar Type Ultra-High-Speed Switching Applications 文件：231.52 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1D01F_14	文件：219.73 Kbytes Page：4 Pages	TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 文件：219.73 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1D01FE_14	文件：248.54 Kbytes Page：4 Pages	TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 文件：248.54 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1D01FU	文件：335.67 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Epitaxial Planar Type Ultra High Speed Switching Application 文件：335.67 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1D01FU_07	文件：335.67 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Epitaxial Planar Type Ultra High Speed Switching Application 文件：335.67 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1D01FU_14	文件：247.54 Kbytes Page：4 Pages	TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 文件：247.54 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

技术参数

Product Category：
Switching diode
VR (Max) (V)：
80
IO (Max) (A)：
0.1
Number of Circuits：
4
internal_connection：
Common anode
Number of pins：
6
Surface mount package：
Y
Package name(Toshiba)：
SM6
Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.8 x 1.1
Package Size(mm^2)：
8.12

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