HN20017130100AX04技术资料参数批发供应第11页-114ic电子网

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HN2C01FU_07	文件：231.02 Kbytes Page：3 Pages	Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications ●Smallpackage(dualtype) ●Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) ●HighhFE:hFE=120~400 ●ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/(IC=2mA)=0.95(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
HN2D01F	文件：217.65 Kbytes Page：4 Pages	Ultra High Speed Switching Application UltraHighSpeedSwitchingApplication ●HN2D01Fiscomposedof3independentdiodes. ●Lowforwardvoltage:VF(3)=0.98V(typ.) ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.) ●Smalltotalcapacitance:CT=0.5μF(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
HN2D01F	文件：118.31 Kbytes Page：2 Pages	DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS) UltraHighSpeedSwitchingApplication ●HN2D01Fiscomposedof3independentdiodes. ●Lowforwardvoltage:VF(3)=0.98V(typ.) ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.) ●Smalltotalcapacitance:CT=0.5μF(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
HN2D01F_07	文件：217.65 Kbytes Page：4 Pages	Ultra High Speed Switching Application UltraHighSpeedSwitchingApplication ●HN2D01Fiscomposedof3independentdiodes. ●Lowforwardvoltage:VF(3)=0.98V(typ.) ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.) ●Smalltotalcapacitance:CT=0.5μF(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
HN2D01FU	文件：209.9 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Epitaxial Planar Type Ultra High Speed Switching Application UltraHighSpeedSwitchingApplication ●HN2D01FUiscomposedof3independentdiodes. ●Lowforwardvoltage:VF(3)=0.98V(typ.) ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.) ●Smalltotalcapacitance:CT=0.5pF(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
HN2D01JE	文件：203.64 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Epitaxial Planar Type Ultra High Speed Switching Application UltraHighSpeedSwitchingApplication ●TheHN2D01JEiscomposedof2independentdiodes. ●Lowforwardvoltage:VF(3)=0.98V(typ.) ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.) ●Smalltotalcapacitance:CT=0.5pF(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
HN2D03F	文件：216.69 Kbytes Page：4 Pages	High Speed Switching Application HighSpeedSwitchingApplication Smallpackage Lowforwardvoltage:VF(2)=0.94V(typ.) Smalltotalcapacitance:CT=2.5pF(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
HN2E01F	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
HN2E02F	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
HN2E04F	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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