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IRF1010EL	文件：123.94 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=12mohm,Id=84A?? Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010ELPBF	文件：218.72 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010ELPBF	文件：227.87 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010EPBF	文件：231.86 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010EPBF	文件：3.12153 Mbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnologyUltraLowOn-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF1010ES	文件：123.94 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=12mohm,Id=84A?? Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010ES	文件：263.33 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF1010ESPBF	文件：218.72 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010ESPBF	文件：227.87 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010EZ	文件：285.31 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombi	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
HN-B1010
功能描述：
烙铁 HN NZZLE 10mm X 10mm
RoHS：
否
制造商：
Weller
产品：
Soldering Stations
类型：
Digital, Iron, Stand, Cleaner
瓦特：
50 W
最大温度：
+ 850 F
电缆类型：
US Cord Included

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
上海金庆电子技术有限公司	HN-B1010	OKInternational	新		5	全新原装货期两周	询价
上海市鑫鸿达电子	HN-B1010	OK International	2022+		1	全新原装货期两周	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	HNB303S	EVERLIGHT/亿光	25+	1210	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市科芯源微电子有限公司	HNB353其他传感器	EVERLIGHT/亿光	25+	SMD	65428	百分百原装现货实单必成	询价
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更多HN-B1010供应商更新时间2025-5-5 16:06:00

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