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HMC758LP3ERF/IF射频/中频RFID的射频放大器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
HMC758LP3E |
| 参数属性 | HMC758LP3E 封装/外壳为16-VFQFN 裸露焊盘；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器；产品描述：IC AMP LTE 700MHZ-2.2GHZ 16QFN |
| 功能描述 | GaAs SMT pHEMT LOW NOISE AMPLIFIER, 700 - 2200 MHz |
| 封装外壳 | 16-VFQFN 裸露焊盘 |
| 文件大小 |
1.10478 Mbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | Hittite Microwave Corporation |
| 企业简称 |
HITTITE |
| 中文名称 | Hittite Microwave Corporation官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-7-5 15:49:00 |
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产品属性
- 产品编号：
HMC758LP3E
- 制造商：
Analog Devices Inc.
- 类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 频率：
700MHz ~ 2.2GHz
- P1dB：
24dBm
- 增益：
22dB
- 噪声系数：
1.7dB
- 射频类型：
LTE，WiMax
- 电压 - 供电：
3V，5V
- 电流 - 供电：
227mA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
16-VFQFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：
16-QFN（3x3）
- 描述：
IC AMP LTE 700MHZ-2.2GHZ 16QFN
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Hittite |
NA |
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