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HMC757LP4ERF/IF射频/中频RFID的射频放大器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
HMC757LP4E |
| 参数属性 | HMC757LP4E 封装/外壳为24-VFQFN 裸露焊盘；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器；产品描述：IC RF AMP GP 16GHZ-24GHZ 24SMT |
| 功能描述 | Active Bias Controller High Current |
| 封装外壳 | 24-VFQFN 裸露焊盘 |
| 文件大小 |
1.19059 Mbytes |
| 页面数量 |
22 页 |
| 生产厂商 | Analog Devices |
| 企业简称 |
AD【亚德诺】 |
| 中文名称 | 亚德诺半导体技术有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-24 22:30:00 |
| 人工找货 | HMC757LP4E价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
HMC757LP4E规格书详情
HMC757LP4E属于RF/IF射频/中频RFID的射频放大器。由亚德诺半导体技术有限公司制造生产的HMC757LP4E射频放大器在射频应用中，射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于，它们通常适用于更高的频率，更倾向于提供不可调节的固定增益，并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。
产品属性
更多- 产品编号：
HMC757LP4E
- 制造商：
Analog Devices Inc.
- 类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 频率：
16GHz ~ 24GHz
- P1dB：
26.5dBm
- 增益：
20.5dB
- 射频类型：
通用
- 电压 - 供电：
5V ~ 6V
- 电流 - 供电：
400mA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
24-VFQFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：
24-QFN（4x4）
- 描述：
IC RF AMP GP 16GHZ-24GHZ 24SMT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ADI |
24+ |
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