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HMC754S8GERF/IF射频/中频RFID的射频放大器规格书PDF中文资料

HMC754S8GE
厂商型号

HMC754S8GE

参数属性

HMC754S8GE 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘;包装为卷带(TR);类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器;产品描述:IC RF AMP GP 0HZ-1GHZ 8SOIC

功能描述

GaAs HBT HIGH LINEARITY PUSH-PULL AMPLIFIER, 75 Ohm, DC - 1 GHz

封装外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘

文件大小

630.55 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Hittite Microwave Corporation
企业简称

HITTITE

中文名称

Hittite Microwave Corporation官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-25 16:49:00

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产品属性

  • 产品编号:

    HMC754S8GE

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 频率:

    0Hz ~ 1GHz

  • P1dB:

    21dBm

  • 增益:

    14.7dB

  • 噪声系数:

    6.5dB

  • 射频类型:

    通用

  • 电压 - 供电:

    5V

  • 电流 - 供电:

    160mA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC RF AMP GP 0HZ-1GHZ 8SOIC

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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