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HMC753LP4ERF/IF射频/中频RFID的射频放大器规格书PDF中文资料

厂商型号 |
HMC753LP4E |
参数属性 | HMC753LP4E 封装/外壳为24-TFQFN 裸露焊盘;包装为带;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器;产品描述:IC RF AMP GP 1GHZ-11GHZ 24SMT |
功能描述 | GaAs HEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 1 - 11 GHz |
封装外壳 | 24-TFQFN 裸露焊盘 |
文件大小 |
256.38 Kbytes |
页面数量 |
6 页 |
生产厂商 | Hittite Microwave Corporation |
企业简称 |
HITTITE |
中文名称 | Hittite Microwave Corporation官网 |
原厂标识 | HITTITE |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-4 14:15:00 |
人工找货 | HMC753LP4E价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
HMC753LP4E规格书详情
General Description
The HMC753LP4E is a GaAs mmiC low Noise wideband Amplifier housed in a leadless 4x4 mm plastic surface mount package. The amplifier operates between 1 and 11 GHz, providing up to 16.5 dB of small signal gain, 1.5 dB noise figure, and output ip3 of +30 dBm, while requiring only 55 mA from a +5V supply. The p1dB output power of up to +18 dBm enables the lNA to function as a lodriver for balanced, i/Q or image reject mixers.
特性 Features
Noise figure: 1.5 dB @ 4 GHz
Gain: 17 dB
p1dB output power: +18 dBm
supply Voltage: +5V @ 55 mA
output ip3: +30 dBm
50 ohm matched input/output
24 lead plastic 4x4mm smT package: 16mm2
Typical Applications
This HmC753lp4eis ideal for:
point-to-point radios
point-to-multi-point radios
military & space
Test instrumentation
产品属性
- 产品编号:
HMC753LP4E
- 制造商:
Analog Devices Inc.
- 类别:
RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器
- 包装:
带
- 频率:
1GHz ~ 11GHz
- P1dB:
15dBm
- 增益:
14dB
- 噪声系数:
2dB
- 射频类型:
通用
- 电压 - 供电:
5V
- 电流 - 供电:
55mA
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
24-TFQFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:
24-QFN(4x4)
- 描述:
IC RF AMP GP 1GHZ-11GHZ 24SMT
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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