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HMC755LP4ERF/IF射频/中频RFID的射频放大器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
HMC755LP4E |
| 参数属性 | HMC755LP4E 封装/外壳为24-VFQFN 裸露焊盘；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器；产品描述：IC AMP LTE 2.3GHZ-2.8GHZ 24QFN |
| 功能描述 | GaAs MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, 2.3 - 2.8 GHz |
| 封装外壳 | 24-VFQFN 裸露焊盘 |
| 文件大小 |
318.33 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | Hittite Microwave Corporation |
| 企业简称 |
HITTITE |
| 中文名称 | Hittite Microwave Corporation官网 |
| 原厂标识 | HITTITE |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 12:20:00 |
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产品属性
- 产品编号：
HMC755LP4E
- 制造商：
Analog Devices Inc.
- 类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 频率：
2.3GHz ~ 2.8GHz
- P1dB：
31dBm
- 增益：
31dB
- 射频类型：
LTE，WiMax
- 电压 - 供电：
5V
- 电流 - 供电：
480mA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
24-VFQFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：
24-QFN（4x4）
- 描述：
IC AMP LTE 2.3GHZ-2.8GHZ 24QFN
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ADI |
24+ |
原装原封 |
3500 |
##公司100%原装现货,假一罚十!可含税13%免费提供样品支持 |
询价 | ||
ADI/亚德诺 |
2511 |
原封装 |
66900 |
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询价 | ||
2017+ |
SMD |
1585 |
只做原装正品假一赔十! |
询价 | |||
Hittite |
17+ |
QFN-24 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
最新 |
2000 |
原装正品现货 |
询价 | ||||
HITTITE |
原厂封装 |
739 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
HITTITE |
24+ |
SMD |
5500 |
HITTITE专营品牌绝对进口原装假一赔十 |
询价 | ||
HITTITE |
23+ |
LP4 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
HITTITE |
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | |||
ADI/亚德诺 |
2447 |
QFN-24 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 |
