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HMC754S8GERF/IF射频/中频RFID的射频放大器规格书PDF中文资料

厂商型号 |
HMC754S8GE |
参数属性 | HMC754S8GE 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘;包装为卷带(TR);类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器;产品描述:IC RF AMP GP 0HZ-1GHZ 8SOIC |
功能描述 | GaAs HBT HIGH LINEARITY PUSH-PULL AMPLIFIER |
封装外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘 |
文件大小 |
927.16 Kbytes |
页面数量 |
10 页 |
生产厂商 | Analog Devices |
企业简称 |
AD【亚德诺】 |
中文名称 | 亚德诺半导体技术有限公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-7-5 19:09:00 |
人工找货 | HMC754S8GE价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
HMC754S8GE规格书详情
HMC754S8GE属于RF/IF射频/中频RFID的射频放大器。由亚德诺半导体技术有限公司制造生产的HMC754S8GE射频放大器在射频应用中,射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于,它们通常适用于更高的频率,更倾向于提供不可调节的固定增益,并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。
产品属性
更多- 产品编号:
HMC754S8GE
- 制造商:
Analog Devices Inc.
- 类别:
RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器
- 包装:
卷带(TR)
- 频率:
0Hz ~ 1GHz
- P1dB:
21dBm
- 增益:
14.7dB
- 噪声系数:
6.5dB
- 射频类型:
通用
- 电压 - 供电:
5V
- 电流 - 供电:
160mA
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘
- 供应商器件封装:
8-SOIC
- 描述:
IC RF AMP GP 0HZ-1GHZ 8SOIC
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
HITTITE |
原厂封装 |
738 |
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询价 | |||
ADI/亚德诺 |
22+ |
66900 |
原封装 |
询价 | |||
Hittite |
2023+ |
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ADI/亚德诺 |
25+ |
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ADI/亚德诺 |
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25500 |
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询价 | ||
最新 |
2000 |
原装正品现货 |
询价 | ||||
ADI/亚德诺 |
2447 |
SOP-8 |
100500 |
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ADI/亚德诺 |
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原封装 |
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ADI |
22+ |
8SOIC |
9000 |
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询价 |