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HMC754S8GERF/IF射频/中频RFID的射频放大器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
HMC754S8GE |
| 参数属性 | HMC754S8GE 封装/外壳为8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘；包装为卷带（TR）；类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器；产品描述：IC RF AMP GP 0HZ-1GHZ 8SOIC |
| 功能描述 | GaAs HBT HIGH LINEARITY PUSH-PULL AMPLIFIER |
| 封装外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘 |
| 文件大小 |
927.16 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | AD |
| 中文名称 | 亚德诺 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-12 14:54:00 |
| 人工找货 | HMC754S8GE价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
HMC754S8GE规格书详情
HMC754S8GE属于RF/IF射频/中频RFID的射频放大器。由亚德诺半导体技术有限公司制造生产的HMC754S8GE射频放大器在射频应用中，射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于，它们通常适用于更高的频率，更倾向于提供不可调节的固定增益，并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。
产品属性
更多- 产品编号：
HMC754S8GE
- 制造商：
Analog Devices Inc.
- 类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
- 包装：
卷带（TR）
- 频率：
0Hz ~ 1GHz
- P1dB：
21dBm
- 增益：
14.7dB
- 噪声系数：
6.5dB
- 射频类型：
通用
- 电压 - 供电：
5V
- 电流 - 供电：
160mA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘
- 供应商器件封装：
8-SOIC
- 描述：
IC RF AMP GP 0HZ-1GHZ 8SOIC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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24+ |
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ADI/亚德诺 |
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