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NP60N06MLK	文件：445.45 Kbytes Page：9 Pages	60V–60A–N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description NP60N06MLKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)1=8.1mMAX.(VGS=10V,ID=30A) LowCiss:Ciss=2400pFTYP.(VDS=25V) Designedforautomotiveapplicationand	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP60N06PDK	文件：366.11 Kbytes Page：9 Pages	N-channelPowerMOSFET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP60N06PDK	文件：528.54 Kbytes Page：9 Pages	60V–60A–N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description NP60N06PDKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)1=7.9mMAX.(VGS=10V,ID=30A) LowCiss:Ciss=2400pFTYP.(VDS=25V) Designedforautomotiveapplicationand	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP60N06PLK	文件：544.69 Kbytes Page：9 Pages	60V??60A??N-channelPowerMOSFET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP60N06PLK	文件：529.47 Kbytes Page：9 Pages	60V–60A–N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description NP60N06PLKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)1=7.9mMAX.(VGS=10V,ID=30A) LowCiss:Ciss=2400pFTYP.(VDS=25V) Designedforautomotiveapplicationand	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP60N06VDK	文件：545.85 Kbytes Page：9 Pages	60V??60A??N-channelPowerMOSFET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP60N06VDK	文件：442.27 Kbytes Page：9 Pages	60V–60A–N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description NP60N06VDKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)1=7.9mMAX.(VGS=10V,ID=30A) LowCiss:Ciss=2400pFTYP.(VDS=25V) Designedforautomotiveapplicationand	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP60N06VLK	文件：552.71 Kbytes Page：9 Pages	60V??60A??N-channelPowerMOSFET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP60N06VLK	文件：446.76 Kbytes Page：9 Pages	60V–60A–N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description NP60N06VLKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)1=7.9mMAX.(VGS=10V,ID=30A) LowCiss:Ciss=2400pFTYP.(VDS=25V) Designedforautomotiveapplicationand	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NTB60N06	文件：85.67 Kbytes Page：10 Pages	60V,60A,N-ChannelTO-220andD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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技术参数

封装（Package）：
TO-220
沟道（Polarity）：
N沟道
VDS(Max)BVDSS(V)：
60.00V
ID(Max)ID(A)：
60.00A
IDM：
150.00A
VTH(Typ)：
1.80V
VGS：
20.00V
RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
10.20mΩ
RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
直接替代型号（compatible）：
UTC60N06/NTP60N06/SUM60N06/CEP60N06/IPP060N06/AM60N06/STP60N06

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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