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HM50N10K	文件：629.03 Kbytes Page：7 Pages	丝印：HM50N10K；Package：TO-252-2L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：629.03 Kbytes 页数：7 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM50N10K	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道中压大电流MOS(100V以上)	HmpowerSemi 虹美功率	HmpowerSemi
LG50N10	文件：947.72 Kbytes Page：5 Pages	High density cell design for ultra low Rdson 文件：947.72 Kbytes 页数：5 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
LMAK50N10	文件：1.66821 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：1.66821 Mbytes 页数：5 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
MSAEZ50N10A	文件：48.38 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Features • Ultrafast rectifier in parallel with the body diode (MSAE type only) • Rugged polysilicon gate cell structure • Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability • Hermetically sealed, surface mount power package • Low package inductance • Very low thermal resistance • Rev 文件：48.38 Kbytes 页数：2 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi

封装（Package）：
TO-252
沟道（Polarity）：
N沟道
VDS(Max)BVDSS(V)：
100.00V
ID(Max)ID(A)：
50.00A
IDM：
150.00A
VTH(Typ)：
1.60V
VGS：
25.00V
RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
19.00mΩ
RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
直接替代型号（compatible）：
AOT414/AOT416/IRF1310/SUP50N10/RFP50N10/MTP50N10/MTB50N10/SUD50N10

更多HM50N10K供应商更新时间2025-10-13 14:01:00