STW50N10中文资料PDF规格书
STW50N10规格书详情
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
■ TYPICAL RDS(on) = 0.027 Ω
■ AVALANCHERUGGED TECHNOLOGY
■ 100 AVALANCHE TESTED
■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C
■ HIGH CURRENT CAPABILITY
■ 175°C OPERATING TEMPERATURE
■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION
APPLICATIONS
■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
■ POWER MOTOR CONTROL
■ DC-DC & DC-AC CONVERTERS
■ SYNCRONOUS RECTIFICATION
产品属性
- 型号:
STW50N10
- 功能描述:
MOSFET REORD 511-STW55NE10
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST/意法 |
23+ |
NA/ |
39 |
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询价 | ||
ST |
2020+ |
TO-247 |
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ST |
23+ |
TO-247 |
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ST/意法 |
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TO247 |
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ST/意法 |
23+ |
TO-3P |
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ST |
TO-247 |
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询价 | |||
N/A |
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ST |
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TO-3P |
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ST |
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TO-247 |
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ST |
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