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PHP50N03LT	文件：1.13625 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •Packagewithlowthermalresistance •100RgandUIStested	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PHP50N03LT	文件：108.76 Kbytes Page：11 Pages	N-channelTrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES •’Trench’technology •Verylowon-stateresistance •Fastswitching •Highthermalcyclingperformance •Lowthermalresistance •Logiclevel	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	ETC
PHP50N03LT	文件：371.69 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=48A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=16mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHP50N03T	文件：1.13521 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •Packagewithlowthermalresistance •100RgandUIStested	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PHP50N03T	文件：59.48 Kbytes Page：7 Pages	TrenchMOStransistorStandardlevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.Thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.ItisintendedforuseinDC-DCconvertersa	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	ETC
PJS50N03	文件：227.71 Kbytes Page：6 Pages	30VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
SDD50N03L	文件：960.21 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SDD50N03L	文件：871.1 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
SDU50N03L	文件：871.1 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
SDU50N03L	文件：960.53 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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技术参数

封装（Package）：
TO-252
沟道（Polarity）：
N沟道
VDS(Max)BVDSS(V)：
30.00V
ID(Max)ID(A)：
50.00A
IDM：
140.00A
VTH(Typ)：
1.60V
VGS：
20.00V
RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
8.00mΩ
RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
10.00mΩ
RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
直接替代型号（compatible）：
AP50N03/PHD50N03/AP45N03/PHD45N03/PHP45N03/AOD452/AOD472

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	HM50N03	HMSEMI	23+	TO-220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	HM50N03	VBsemi	23+	TO-220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	HM50N03	HMSEMI	2022+	TO-220	2000	原厂代理终端免费提供样品	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	HM50N03	HM	23+	TO-220	6000	原装正品，支持实单	询价
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深圳市能元时代电子有限公司	HM50N03	Hmsemi	23+	TO-220	18384	##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术	询价
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更多HM50N03供应商更新时间2025-7-29 11:00:00

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