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HM40N20	文件：518.63 Kbytes Page：7 Pages	丝印：HM40N20；Package：TO-220-3L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：518.63 Kbytes 页数：7 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM40N20D	文件：605.45 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：605.45 Kbytes 页数：7 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM40N20D	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道中压大电流MOS(100V以上)	HmpowerSemi 虹美功率	HmpowerSemi
MTM40N20	文件：171.72 Kbytes Page：5 Pages	POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N-Channel Power FET 文件：171.72 Kbytes 页数：5 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
STB40N20	文件：348.51 Kbytes Page：13 Pages	N-CHANNEL 200V - 0.038 OHM - 40A TO-220/TO-247/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET Description This MOSFET series realized with STMicroelectronics unique STripFET process has specifically been designed to minimize input capacitance and gate charge. It is therefore suitable as primary switch in advanced highefficiency isolated DC-DC converters. General features ■ Gate charge m 文件：348.51 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STW40N20	文件：348.51 Kbytes Page：13 Pages	N-CHANNEL 200V - 0.038 OHM - 40A TO-220/TO-247/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET Description This MOSFET series realized with STMicroelectronics unique STripFET process has specifically been designed to minimize input capacitance and gate charge. It is therefore suitable as primary switch in advanced highefficiency isolated DC-DC converters. General features ■ Gate charge m 文件：348.51 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

封装（Package）：
TO-263
沟道（Polarity）：
N沟道
VDS(Max)BVDSS(V)：
200.00V
ID(Max)ID(A)：
40.00A
IDM：
160.00A
VTH(Typ)：
3.20V
VGS：
20.00V
RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
36.50mΩ
RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
直接替代型号（compatible）：
IRFB38N20D/IRFB42N20D/IXFH40N20/STP40N20/FQA40N20/SSH40N20

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更多HM40N20供应商更新时间2026-10-22 14:01:00

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