STB40N20中文资料意法半导体数据手册PDF规格书
STB40N20规格书详情
Description
This MOSFET series realized with STMicroelectronics unique STripFET process has specifically been designed to minimize input capacitance and gate charge. It is therefore suitable as primary switch in advanced highefficiency isolated DC-DC converters.
General features
■ Gate charge minimized
■ Very low intrinsic capacitances
■ Very good manufacturing repeatibility
■ Excellent figure of merit (RDS*Qg)
■ 100 avalanche tested
Applications
■ Switching application
产品属性
- 型号：
STB40N20
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 200 V 0.38 Ohm 40 A STripFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
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ST |
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ST |
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ST(意法) |
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NA |
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ST |
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ST/意法半导体 |
21+ |
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ST |
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ST |
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TO-263 |
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ST |
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STMicroelectronics |
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