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HM30N10K

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:649.21 Kbytes 页数:7 Pages

HMSEMI

华之美半导体

HM30N10K

N沟道中压大电流MOS(100V以上)

HmpowerSemi

虹美功率

LMAK30N10

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.12796 Mbytes 页数:4 Pages

LEIDITECH

雷卯电子

P30N10

N-channel 100 V, 0.02 廓 typ., 32 A STripFET??F7 Power MOSFET in a TO-220 package

Description This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low onstate resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching. Features  Among the lowest RDS(o

文件:1.05035 Mbytes 页数:13 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STB30N10

N - CHANNEL 100V - 0.06ohm - 30A - D2PAK POWER MOS TRANSISTOR

N - CHANNEL 100V - 0.06Ω - 30A - D2PAK POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 0.06 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC ■ LOW GATE CHARGE ■ VERY HIGH CURRENT CAPABILITY ■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION ■ SURFACE-MOUNTING D2PAK

文件:43.61 Kbytes 页数:5 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

技术参数

  • 封装(Package):

    TO-252

  • 沟道(Polarity):

    N沟道

  • VDS(Max)BVDSS(V):

    100.00V

  • ID(Max)ID(A):

    30.00A

  • IDM:

    90.00A

  • VTH(Typ):

    1.90V

  • VGS:

    20.00V

  • RDS(ON)@-10VTyp(mΩ):

    27.00mΩ

  • RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ):

    0.00mΩ

  • RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ):

    0.00mΩ

  • 直接替代型号(compatible):

    AOT414/AOT416/IRF1310/SUP30N10/RFP30N10/MTP30N10/MTB30N10/SUD30N10

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站
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TO-252
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VBsemi
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TO252
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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TO-252
986966
国产
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HMSEMI
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TO-220
50000
全新原装正品现货,支持订货
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TO-220
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HMSEMI
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TO-TO-220
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独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
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更多HM30N10K供应商 更新时间2024-4-11 18:15:00