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HM30

Surface Mount Current Sense

文件:101.61 Kbytes 页数:1 Pages

TTELEC

HM30N02D

丝印:HM30N02D;Package:DFN5x6-8L;Hard switched and high frequency circuits

文件:867.6 Kbytes 页数:6 Pages

HMSEMI

华之美半导体

HM30N02Q

丝印:HM30N02Q;Package:DFN3x3-8L;Load switching

文件:713.69 Kbytes 页数:6 Pages

HMSEMI

华之美半导体

HM30N04D

丝印:HM30N04D;Package:DFN5x6-8L;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:915.53 Kbytes 页数:7 Pages

HMSEMI

华之美半导体

HM30N04Q

丝印:HM30N04Q;Package:DFN3x3-8L;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.24835 Mbytes 页数:7 Pages

HMSEMI

华之美半导体

HM30P02K

丝印:HM30P02K;Package:TO-252-2L;P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.11922 Mbytes 页数:6 Pages

HMSEMI

华之美半导体

HM30P03Q

丝印:HM30P03Q;Package:DFN3x3-8L;-30VDS竊뤒?0VGS竊?30A(ID) P-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:1.28827 Mbytes 页数:4 Pages

HMSEMI

华之美半导体

HM3019

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description This device is designed for use as general purpose amplifier and switching requiring collector currents 1A

文件:22.44 Kbytes 页数:2 Pages

HSMC

华昕

HM3005

Ultra low impedance dual channel single pole double throw analog switch

文件:694.03 Kbytes 页数:7 Pages

HMSEMI

华之美半导体

HM301

Surface Mount Ultra Fast Recovery Rectifiers

文件:79.33 Kbytes 页数:3 Pages

WEITRON

技术参数

  • 封装(Package):

    DFN5X6-8L

  • 沟道(Polarity):

    N沟道

  • VDS(Max)BVDSS(V):

    20.00V

  • ID(Max)ID(A):

    30.00A

  • IDM:

    100.00A

  • VTH(Typ):

    0.80V

  • VGS:

    12.00V

  • RDS(ON)@-10VTyp(mΩ):

    0.00mΩ

  • RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ):

    5.50mΩ

  • RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ):

    8.00mΩ

  • 直接替代型号(compatible):

    AON7436/AON7404

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多HM30供应商 更新时间2025-10-9 15:41:00