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HM30N10

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:937.47 Kbytes 页数:7 Pages

HMSEMI

华之美半导体

HM30N10D

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:608.79 Kbytes 页数:6 Pages

HMSEMI

华之美半导体

HM30N10K

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:649.21 Kbytes 页数:7 Pages

HMSEMI

华之美半导体

HM30NH303J

Low cost, solid state temperature sensor

文件:57.31 Kbytes 页数:4 Pages

AMPHENOL

安费诺

HM30NH303K

Low cost, solid state temperature sensor

文件:57.31 Kbytes 页数:4 Pages

AMPHENOL

安费诺

HM30NY104J

Low cost, solid state temperature sensor

文件:57.31 Kbytes 页数:4 Pages

AMPHENOL

安费诺

HM30NY104K

Low cost, solid state temperature sensor

文件:57.31 Kbytes 页数:4 Pages

AMPHENOL

安费诺

HM30P10K

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:575.49 Kbytes 页数:7 Pages

HMSEMI

华之美半导体

HM30P55

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:553.72 Kbytes 页数:7 Pages

HMSEMI

华之美半导体

HM30P55K

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:530.35 Kbytes 页数:7 Pages

HMSEMI

华之美半导体

技术参数

  • 封装(Package):

    DFN5X6-8L

  • 沟道(Polarity):

    N沟道

  • VDS(Max)BVDSS(V):

    20.00V

  • ID(Max)ID(A):

    30.00A

  • IDM:

    100.00A

  • VTH(Typ):

    0.80V

  • VGS:

    12.00V

  • RDS(ON)@-10VTyp(mΩ):

    0.00mΩ

  • RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ):

    5.50mΩ

  • RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ):

    8.00mΩ

  • 直接替代型号(compatible):

    AON7436/AON7404

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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05+
原厂原装
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TO252
50000
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更多HM30供应商 更新时间2025-10-13 14:07:00