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HM30N10	文件：937.47 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM30N10D	文件：608.79 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM30N10K	文件：649.21 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM30NH303J	文件：57.31 Kbytes Page：4 Pages	Low cost, solid state temperature sensor	AMPHENOLAmphenol Corporation 安费诺集团美国安费诺集团	AMPHENOL
HM30NH303K	文件：57.31 Kbytes Page：4 Pages	Low cost, solid state temperature sensor	AMPHENOLAmphenol Corporation 安费诺集团美国安费诺集团	AMPHENOL
HM30NY104J	文件：57.31 Kbytes Page：4 Pages	Low cost, solid state temperature sensor	AMPHENOLAmphenol Corporation 安费诺集团美国安费诺集团	AMPHENOL
HM30NY104K	文件：57.31 Kbytes Page：4 Pages	Low cost, solid state temperature sensor	AMPHENOLAmphenol Corporation 安费诺集团美国安费诺集团	AMPHENOL
HM30P02K	文件：1.11922 Mbytes Page：6 Pages	丝印：HM30P02K；Package：TO-252-2L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM30P03Q	文件：1.28827 Mbytes Page：4 Pages	丝印：HM30P03Q；Package：DFN3x3-8L；-30VDS竊뤒?0VGS竊?30A(ID) P-Channel Enhancement Mode MOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM30P10	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道中压大电流MOS;	HmpowerSemiHongmei Power Semiconductor Co., Ltd 虹美功率深圳市虹美功率半导体有限公司	HmpowerSemi

技术参数

封装（Package）：
DFN3X3-8L
沟道（Polarity）：
N沟道
VDS(Max)BVDSS(V)：
40.00V
ID(Max)ID(A)：
30.00A
IDM：
100.00A
VTH(Typ)：
1.60V
VGS：
20.00V
RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
7.30mΩ
RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
13.00mΩ
RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
直接替代型号（compatible）：
AON7240/AON6236/AON6442

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星佑电子有限公司	HM30060-LP2	FOXCONNELECT	05+	原厂原装	5830	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳市粤科源兴科技有限公司	HM3020BPW1PA	HTOT	13+		203922	原装分销	询价
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更多HM30供应商更新时间2025-7-29 10:32:00

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