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HM100N03K	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道中压大电流MOS(100V以下)	HmpowerSemi 虹美功率	HmpowerSemi
PHB100N03LT	文件：331.22 Kbytes Page：13 Pages	N-channel enhancement mode field-effect transistor Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 technology. Features ■ TrenchMOS™ technology ■ Low on-state resistance ■ Avalanche ruggedness rated ■ Logic level compatible ■ Surface mount package. Applications ■ DC to DC converters ■ 文件：331.22 Kbytes 页数：13 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PHB100N03LT	文件：305.48 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 25V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =5.8mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：305.48 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RES100N03	文件：44.16 Kbytes Page：4 Pages	Switching (30V, 10A) Features 1) Low Qg. 2) Low on-resistance. 3) Exellent resistance to damage from static electric Structure Silicon N-channel MOS FET 文件：44.16 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

封装（Package）：
TO-252
沟道（Polarity）：
N沟道
VDS(Max)BVDSS(V)：
30.00V
ID(Max)ID(A)：
100.00A
IDM：
300.00A
VTH(Typ)：
1.60V
VGS：
20.00V
RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
3.00mΩ
RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
5.00mΩ
RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
直接替代型号（compatible）：
BSC100N03/AOT210L/AOT424/AOD4132/AOD492/IRL3803/IRL8113/IRLR8113/IRL2203N/IRLR7833/SUP90N03

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