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HM100N03D	文件：435.02 Kbytes Page：6 Pages	丝印：HM100N03D；Package：DFN5X6-8L；High density cell design for ultra low Rdson 文件：435.02 Kbytes 页数：6 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM100N03D	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道中压大电流MOS(100V以下)	HmpowerSemi 虹美功率	HmpowerSemi
PHB100N03LT	文件：331.22 Kbytes Page：13 Pages	N-channel enhancement mode field-effect transistor Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 technology. Features ■ TrenchMOS™ technology ■ Low on-state resistance ■ Avalanche ruggedness rated ■ Logic level compatible ■ Surface mount package. Applications ■ DC to DC converters ■ 文件：331.22 Kbytes 页数：13 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PHB100N03LT	文件：305.48 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 25V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =5.8mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：305.48 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RES100N03	文件：44.16 Kbytes Page：4 Pages	Switching (30V, 10A) Features 1) Low Qg. 2) Low on-resistance. 3) Exellent resistance to damage from static electric Structure Silicon N-channel MOS FET 文件：44.16 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

封装（Package）：
DFN5X6-8L
沟道（Polarity）：
N沟道
VDS(Max)BVDSS(V)：
30.00V
ID(Max)ID(A)：
100.00A
IDM：
300.00A
VTH(Typ)：
1.70V
VGS：
20.00V
RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
1.90mΩ
RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
2.90mΩ
RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
直接替代型号（compatible）：
AON6210/AON6400/AON6404/A/AON6502/AON6504/AON6544/AON6548/AON6554/AON6752/AON6754/AON6780/AON6782/SiRA00DP/IRFH5300/1/2

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