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ICA-640-SGG	文件：596.63 Kbytes Page：1 Pages	AUTOMATEDINSERTIONDIPSOCKETS	SamtecSamtec, Inc 美国申泰	Samtec
iC-LFH640	文件：1.19562 Mbytes Page：14 Pages	HIGH-RESOLUTIONLINEARIMAGESENSORS	ICHAUS IC-Haus GmbH	ICHAUS
ICS-640	文件：214.97 Kbytes Page：1 Pages	HIGHDIRECTIVITYCOLUMNSPEAKER 4인치전대역스피커유닛채택 매칭트랜스채용 옥외용,방수처리 BRACKET을이용한지향각조절용이	SOVICO SOVICO corp.	SOVICO
IIRF640N	文件：338.66 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IQXO-640	文件：152.86 Kbytes Page：2 Pages	CrystalClockOscillatorSpecification	IQD IQD Frequency Products Ltd	IQD
IQXO-640	文件：157.14 Kbytes Page：7 Pages	Standard1.6x1.2mmcrystaloscillatorinaceramicpackagewithaseamsealedmetallid,hermeticallysealed	IQD IQD Frequency Products Ltd	IQD
IRC640	文件：228.9 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.18ohm,Id=18A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •Dynamicdv/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •CurrentSense •FastSwitching •Ease	IRF International Rectifier	IRF
IRC640PBF	文件：1.13633 Mbytes Page：9 Pages	HEXFETPOWERMOSFET Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •Dynamicdv/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •CurrentSense •FastSwitching •Ease	IRF International Rectifier	IRF
IRF640	文件：178.22 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.18ohm,Id=18A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwithbestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipat	IRF International Rectifier	IRF
IRF640	文件：107.08 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL200V-0.150ohm-18ATO-220/TO-220FPMESHOVERLAY]MOSFET DESCRIPTION ThispowerMOSFETisdesignedusinghecompany’sconsolidatedstriplayout-basedMESHOVERLAYprocess.Thistechnologymatchesandimprovestheperformancescomparedwithstandardpartsfromvarioussources. ■TYPICALRDS(on)=0.150Ω ■EXTREMELYHIGHdV/dtCAPABILITY ■VERYLOW	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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