IRC640PBF中文资料IRF数据手册PDF规格书
IRC640PBF规格书详情
描述 Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
• Dynamic dv/dt Rating
• Repetitive Avalanche Rated
• Current Sense
• Fast Switching
• Ease of Paralleling
• Simple drive Requirements
• Lead-Free
产品属性
- 型号：
IRC640PBF
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-2205-Pin(HEXSen |
8866 |
询价 | |||
Vishay Siliconix |
2022+ |
TO-220-5 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220-5 |
7000 |
询价 | |||
IR |
23+ |
TO-220-5 |
46994 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||
IR |
03+ |
TO-220 |
2800 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220-5 |
21368 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
VBSEMI/台湾微碧 |
23+ |
TO220AB |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
Vishay Siliconix |
22+ |
TO2205 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IR |
TO-220 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
IR |
24+ |
原厂封装 |
2000 |
原装现货假一罚十 |
询价 |
