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厂商型号

IRC640

功能描述

Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A)

文件大小

228.9 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

IRF

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更新时间

2026-1-22 9:20:00

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IRC640规格书详情

描述 Description

Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

• Dynamic dv/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• Current Sense

• Fast Switching

• Ease of Paralleling

• Simple drive Requirements

产品属性

  • 型号:

    IRC640

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 200V 18 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
23+
TO-220-5L
65480
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VBsemi
23+
TO220
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