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IRF630	文件：336.19 Kbytes Page：14 Pages	N-channel200V-0.35廓-9ATO-220/TO-220FPMeshoverlay??IIPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRF630	文件：579.72 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF630	文件：206.32 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFN-CHANNELPOWERMOSFET Description Designedforlowvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers. Features RepetitiveAvalancheRated FastSwitching EaseofParalleling SimpleDriveRequirements	DCCOM Dc Components	DCCOM
IRF630	文件：128.35 Kbytes Page：1 Pages	N-channelmosfettransistor Features •WithTO-220package •Lowon-stateandthermalresistance •Fastswitching •VDSS=200V;RDS(ON)≤0.4Ω;ID=9A •1.gate2.drain3.source	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF630	文件：176.29 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.40ohm,Id=9.0A) Description ThirdGenerationHEXFETsMOSFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •FastSwitching •EaseofParall	IRF International Rectifier	IRF
IRF630	文件：283.3 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF630	文件：5.97495 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFETDynamicdV/dtRatingRepetitiveAvalancheRated DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF630	文件：106.48 Kbytes Page：3 Pages	NCHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS FEATURE NchannelinaplasticTO220package. Theyareintendedforuseinhighspeedswitching, uninterruptiblepowersupply,motorcontrol,audioamplifiers, industrialactuators. DC-DC&DC-ACconvertersfortelecom,industrialand consumerenvironment. Complianc	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
IRF630	文件：106.61 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,12A,150-200V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VQSRatedat±20V ●	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF630	文件：620.22 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET DESCRIPTION TheNellIRF630areN-channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors. Theyaredesigned,testedandguaranteedtowithstandlevelofenergyinbreakdownavalanchemadeofoperation. Theyaredesignedasanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinawi	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI

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技术参数

Channel：
N
VDSS(V)：
200
ID(A)：
9
VGS(V)：
±30
RDS(on)Max.(ohm)：
0.4
RDS(on)@VGS(V)：
10
RDS(on)@ID(A)：
5.4
RoHS(Note1)：
PF
Status(Note2)：
M

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HIRF630供应商更新时间2025-7-28 16:41:00

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