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HIP6601BCBZA-T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
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HIP6601BECBZ	文件：258.029 Kbytes Page：12 Pages	SynchronousRectifiedBuckMOSFETDrivers TheHIP6601B,HIP6603BandHIP6604Barehigh-frequency, dualMOSFETdriversspecificallydesignedtodrivetwopower N-ChannelMOSFETsinasynchronousrectifiedbuckconverter topology.ThesedriverscombinedwithaHIP63xxortheISL65xx seriesofMulti-PhaseBuckPWMcontrollersandMOSFETs	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HIP6601BECBZ	文件：256.459 Kbytes Page：12 Pages	DrivesTwoN-ChannelMOSFETs	Intersil Intersil Corporation	Intersil
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HIP6601CB	文件：84.68 Kbytes Page：8 Pages	Synchronous-RectifiedBuckMOSFETDrivers Synchronous-RectifiedBuckMOSFETDrivers TheHIP6601andHIP6603arehighfrequency,dualMOSFETdriversspecificallydesignedtodrivetwopower N-ChannelMOSFETsinasynchronous-rectifiedbuckconvertertopology.ThesedriverscombinedwithaHIP630xMulti-PhaseBuckPWMcontrollera	Intersil Intersil Corporation	Intersil

产品属性

产品编号：
HIP6601BCBZA-T
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10.8V ~ 13.2V
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
20ns，20ns
工作温度：
0°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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