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HIP6604BCR-T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-VQFN 裸露焊盘；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
HIP6604BCRZ	文件：258.029 Kbytes Page：12 Pages	SynchronousRectifiedBuckMOSFETDrivers TheHIP6601B,HIP6603BandHIP6604Barehigh-frequency, dualMOSFETdriversspecificallydesignedtodrivetwopower N-ChannelMOSFETsinasynchronousrectifiedbuckconverter topology.ThesedriverscombinedwithaHIP63xxortheISL65xx seriesofMulti-PhaseBuckPWMcontrollersandMOSFETs	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HIP6604BCRZ	文件：261.91 Kbytes Page：12 Pages	SynchronousRectifiedBuckMOSFETDrivers SynchronousRectifiedBuckMOSFETDrivers TheHIP6601B,HIP6603BandHIP6604Barehigh-frequency,dualMOSFETdriversspecificallydesignedtodrivetwopowerN-ChannelMOSFETsinasynchronousrectifiedbuckconvertertopology.ThesedriverscombinedwithaHIP63xxortheISL65xxseriesofMulti	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HIP6604BCRZ	文件：256.459 Kbytes Page：12 Pages	DrivesTwoN-ChannelMOSFETs	Intersil Intersil Corporation	Intersil
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HIP6604CR	文件：516.46 Kbytes Page：11 Pages	SynchronousRectifiedBuckMOSFETDrivers TheHIP6601A,HIP6603AandHIP6604arehighfrequency,dualMOSFETdriversspecificallydesignedtodrivetwopowerN-ChannelMOSFETsinasynchronousrectifiedbuckconvertertopology.ThesedriverscombinedwithaHIP63xxoranISL65xxMulti-PhaseBuckPWMcontrollerformacompletecore-voltage	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HIP6604CR	文件：489.12 Kbytes Page：11 Pages	SynchronousRectifiedBuckMOSFETDrivers Features •DrivesTwoN-ChannelMOSFETs •AdaptiveShoot-ThroughProtection •InternalBootstrapDevice •SupportsHighSwitchingFrequency -FastOutputRiseTime -PropagationDelay30ns •Small8LeadSOICandEPSOICand16LeadQFN Packages •DualGate-DriveVoltagesforOptimalEffic	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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HM6604	文件：789.64 Kbytes Page：11 Pages	NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI

产品属性

产品编号：
HIP6604BCR-T
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10.8V ~ 13.2V
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
20ns，20ns
工作温度：
0°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-VQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
16-QFN（4x4）
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN

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