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HIP6601BECB-T	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
6601	文件：205.28 Kbytes Page：2 Pages	ComfortProbewithRemovable4mmBananaPlugAdapter	POMONA Pomona Electronics
ADRF6601	文件：640.11 Kbytes Page：24 Pages	750MHzto1160MHzRxMixerwithIntegratedFractional-NPLLandVCO	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADRF6601	文件：834.01 Kbytes Page：32 Pages	1200MHzto3600MHzRxMixerwithIntegratedFractional-NPLLandVCO	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADRF6601-EVALZ	文件：640.11 Kbytes Page：24 Pages	750MHzto1160MHzRxMixerwithIntegratedFractional-NPLLandVCO	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AN-6601	文件：654.75 Kbytes Page：4 Pages	LowNoiseJFETAmplifiers	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
AO6601	文件：482.71 Kbytes Page：9 Pages	30VComplementaryMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AO6601	文件：2.72053 Mbytes Page：7 Pages	ComplementaryTrenchMOSFET ■Features N-Channel: ●VDS(V)=30V ●ID=3.4A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
AO6601	文件：2.06917 Mbytes Page：10 Pages	N-andP-ChannelV(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
AO6601	文件：207.8 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO6601usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsformahigh-speedpowerinverter,suitableforamultitudeofapplications.StandardProductAO6601isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO6	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AO6601	文件：724.96 Kbytes Page：11 Pages	NPChannelMOSFET Features N-Ch: VDS(V)=30V ID=3.4A(VGS=10V) RDS(ON)60m(VGS=10V) RDS(ON)70m(VGS=4.5V) RDS(ON)90m(VGS=2.5V) P-Ch: VDS(V)=-30V ID=-2.3A(VGS=-10V) RDS(ON)115m(VGS=-10V) RDS(ON)150m(VGS=-4.5V) RDS(ON)200m(VGS=-2.5V)	UMWUMW 友台友台半导体
AO6601-HF	文件：3.6273 Mbytes Page：7 Pages	ComplementaryTrenchMOSFET ■Features N-Channel: ●VDS(V)=30V ●ID=3.4A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
AO6601L	文件：207.8 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO6601usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsformahigh-speedpowerinverter,suitableforamultitudeofapplications.StandardProductAO6601isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO6	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AWU6601	文件：622.02 Kbytes Page：14 Pages	HELP3TMBand1/WCDMA/TD-SCDMA3.4V/28.25dBmLinearPAModule	ANADIGICS ANADIGICS
CEB6601	文件：434.89 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-60V,-19A,RDS(ON)=86mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=125mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEB6601	文件：1.59421 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
CED6601	文件：358.8 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-60V,-16A,RDS(ON)=86mW@VGS=-10V. RDS(ON)=125mW@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CED6601A	文件：428.04 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-16A,RDS(ON)=86mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=125mW@VGS=-4.5V. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEM6601	文件：345.33 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-60V,-4.3A,RDS(ON)=86mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=125mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■SurfacemountPackage.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEM6601	文件：1.035069 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •100RgandUIStested	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

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产品属性

产品编号：
HIP6601BECB-T
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10.8V ~ 13.2V
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
20ns，20ns
工作温度：
0°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘
供应商器件封装：
8-SOIC-EP
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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