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HIP6602BCRZ-T	文件：319.54 Kbytes Page：12 Pages	Dual Channel Synchronous Rectified Buck MOSFET Driver TheHIP6602Bisahighfrequency,twopowerchannelMOSFETdriverspecificallydesignedtodrivefourpowerN-ChannelMOSFETsinasynchronousrectifiedbuckconvertertopology.Thisdeviceisavailableineithera14-leadSOICora16-leadQFNpackagewithaPADtothermallyenhancethepackage.	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HIP6602BCRZ-T	文件：608.19 Kbytes Page：12 Pages	Dual Channel Synchronous Rectified Buck MOSFET Driver	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HIP6602BCRZ-T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-VQFN 裸露焊盘；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
HIP6602CB	文件：207.98 Kbytes Page：9 Pages	DualChannelSynchronous-RectifiedBuckMOSFETDriver TheHIP6602isahighfrequency,twopowerchannelMOSFETdriverspecificallydesignedtodrivefourpowerN-ChannelMOSFETsinasynchronous-rectifiedbuckconvertertopology.ThesedriverscombinedwithaHIP63xxseriesofMulti-PhaseBuckPWMcontrollerandIntersil’sUltraFETs®formacomplete	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HIP6602CB	文件：516.36 Kbytes Page：9 Pages	DualChannelSynchronous-RectifiedBuckMOSFETDriver Features •DrivesFourN-channelMOSFETs •AdaptiveShoot-ThroughProtection •InternalBootstrapDevices •SupportsHighSwitchingFrequency -FastOutputRiseTime -PropagationDelay30ns •Small14-LeadSOICPackage •5Vto12VGate-DriveVoltagesforOptimalEfficiency •Three-State	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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IRF6602	文件：133.28 Kbytes Page：9 Pages	DirectFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF6602	文件：200.24 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description TheIRF6602combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistancechargeproductinapackagethathasthefootprintofanSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexi	IRF International Rectifier	IRF
LA6602V	文件：88.2 Kbytes Page：6 Pages	I-VAmplifierforMiniDiscDrives Features •TheLA6602VisoptimalasaninterfaceICbetweenthePDandservoICsusedinMDPUmodules. •Eightbufferamplifierchannels •On-chiplow-noisehigh-bandwidthamplifierRFblock	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO

产品属性

产品编号：
HIP6602BCRZ-T
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10.8V ~ 13.2V
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
20ns，20ns
工作温度：
0°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-VQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
16-QFN（5x5）
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN

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更多HIP6602BCRZ-T供应商更新时间2025-5-20 16:20:00

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