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|---|---|---|---|---|
HIP6603BECBZ-T | Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘；包装：管件 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | |
Synchronous-Rectified Buck MOSFET Drivers Synchronous-Rectified Buck MOSFET Drivers The HIP6601 and HIP6603 are high frequency, dual MOSFET drivers specifically designed to drive two power N-Channel MOSFETs in a synchronous-rectified buck converter topology. These drivers combined with a HIP630x Multi-Phase Buck PWM controller a 文件：84.68 Kbytes 页数：8 Pages | Intersil | Intersil | ||
Synchronous-Rectified Buck MOSFET Drivers 文件：234.1 Kbytes 页数：8 Pages | Intersil | Intersil | ||
Synchronous-Rectified Buck MOSFET Drivers Features • Drives Two N-Channel MOSFETs • Adaptive Shoot-Through Protection • Internal Bootstrap Device • Supports High Switching Frequency - Fast Output Rise Time - Propagation Delay 30ns • Small 8 Lead SOIC Package • Dual Gate-Drive Voltages for Optimal Efficiency • Three-State Input fo 文件：241.64 Kbytes 页数：8 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS |
产品属性
- 产品编号：
HIP6603BECBZ-T
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
- 包装：
管件
- 驱动配置：
半桥
- 通道类型：
同步
- 栅极类型：
N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
10.8V ~ 13.2V
- 输入类型：
非反相
- 上升/下降时间（典型值）：
20ns，20ns
- 工作温度：
0°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘
- 供应商器件封装：
8-SOIC-EP
- 描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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