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深圳市斌能达电子科技有限公司

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深圳市盈慧通电子有限公司

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深圳市福安瓯科技有限公司

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HIP6601BECB

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HIP6601BECBZ功能描述:功率驱动器IC SYNCHRONUSCTIFIED BUCK MSFT DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

HIP6601BECBZA功能描述:功率驱动器IC W/ANNEAL SYNCHRONUSC BUCK MSFT DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

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HIP6601BECBZ-T功能描述:功率驱动器IC SYNCHRONUSCTIFIED BUCK MSFT DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

产品属性

  • 产品编号：

    HIP6601BECB

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别：

    集成电路（IC） > 栅极驱动器

  • 包装：

    管件

  • 驱动配置：

    半桥

  • 通道类型：

    同步

  • 栅极类型：

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电：

    10.8V ~ 13.2V

  • 输入类型：

    非反相

  • 上升/下降时间（典型值）：

    20ns，20ns

  • 工作温度：

    0°C ~ 125°C（TJ）

  • 安装类型：

    表面贴装型

  • 封装/外壳：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘

  • 供应商器件封装：

    8-SOIC-EP

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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