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HGT1S14N40F3VLS	文件：147.41 Kbytes Page：7 Pages	330mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT GeneralDescription ThisN-ChannelIGBTisaMOSgated,logicleveldevicewhichisintendedtobeusedasanignitioncoildriverinautomotiveignitioncircuits.UniquefeaturesincludeanactivevoltageclampbetweenthedrainandthegateandESDprotectionforthelogiclevelgate.Somesp	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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HGT1S14N40F3VLS

文件：147.41 Kbytes

Page：7 Pages

330mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT

GeneralDescription ThisN-ChannelIGBTisaMOSgated,logicleveldevicewhichisintendedtobeusedasanignitioncoildriverinautomotiveignitioncircuits.UniquefeaturesincludeanactivevoltageclampbetweenthedrainandthegateandESDprotectionforthelogiclevelgate.Somesp

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

详细参数

型号：
HGT1S14N40F3VL
功能描述：
IGBT 晶体管 14a 380V Logic Level
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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更多HGT1S14N40F3VL供应商更新时间2024-6-24 14:19:00

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