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HFA3096BZ	文件：699.33 Kbytes Page：14 Pages	丝印：HFA3096BZ；Package：16LdSOIC；Ultra High Frequency Transistor Arrays The HFA3046, HFA3096, HFA3127 and the HFA3128 are Ultra High Frequency Transistor Arrays that are fabricated from Intersil Corporation’s complementary bipolar UHF-1 process. Each array consists of five dielectrically isolated transistors on a common monolithic substrate. The NPN transistors exhibi 文件：699.33 Kbytes 页数：14 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HFA3096BZ	文件：790.14 Kbytes Page：16 Pages	丝印：HFA3096BZ；Package：16LDSOIC；Ultra High Frequency Transistor Arrays Features • NPN transistor (fT) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8GHz • NPN current gain (hFE) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130 • NPN early voltage (VA). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V • PNP transistor (fT) . . . . . . . . . . . . . . . . 文件：790.14 Kbytes 页数：16 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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详细参数

型号：
HFA3096BZ
功能描述：
两极晶体管 - BJT W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2XPNP16NSOIC MIL
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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