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HFA3096	文件：57.7 Kbytes Page：9 Pages	Ultra High Frequency Transistor Arrays The HFA3046, HFA3096, HFA3127 and the HFA3128 are Ultra High Frequency Transistor Arrays that are fabricated from Intersil Corporation’s complementary bipolar UHF-1 process. Each array consists of five dielectrically isolated transistors on a common monolithic substrate. The NPN transistors exhibi 文件：57.7 Kbytes 页数：9 Pages	Intersil	Intersil
HFA3096	文件：790.14 Kbytes Page：16 Pages	Ultra High Frequency Transistor Arrays Features • NPN transistor (fT) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8GHz • NPN current gain (hFE) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130 • NPN early voltage (VA). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V • PNP transistor (fT) . . . . . . . . . . . . . . . . 文件：790.14 Kbytes 页数：16 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HFA3096	文件：298.68 Kbytes Page：13 Pages	Ultra High Frequency Transistor Arrays 文件：298.68 Kbytes 页数：13 Pages	Intersil	Intersil
HFA3096BZ	文件：699.33 Kbytes Page：14 Pages	丝印：HFA3096BZ；Package：16LdSOIC；Ultra High Frequency Transistor Arrays The HFA3046, HFA3096, HFA3127 and the HFA3128 are Ultra High Frequency Transistor Arrays that are fabricated from Intersil Corporation’s complementary bipolar UHF-1 process. Each array consists of five dielectrically isolated transistors on a common monolithic substrate. The NPN transistors exhibi 文件：699.33 Kbytes 页数：14 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HFA3096BZ	文件：790.14 Kbytes Page：16 Pages	丝印：HFA3096BZ；Package：16LDSOIC；Ultra High Frequency Transistor Arrays Features • NPN transistor (fT) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8GHz • NPN current gain (hFE) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130 • NPN early voltage (VA). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V • PNP transistor (fT) . . . . . . . . . . . . . . . . 文件：790.14 Kbytes 页数：16 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HFA3096BZ96	文件：790.14 Kbytes Page：16 Pages	丝印：HFA3096BZ；Package：16LDSOIC；Ultra High Frequency Transistor Arrays Features • NPN transistor (fT) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8GHz • NPN current gain (hFE) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130 • NPN early voltage (VA). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V • PNP transistor (fT) . . . . . . . . . . . . . . . . 文件：790.14 Kbytes 页数：16 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HFA3096	文件：300 bytes Page：1 Pages	Ultra High Frequency Transistor Arrays The HFA3046, HFA3096, HFA3127 and the HFA3128 are ultra high frequency transistor arrays that are fabricated from the Renesas complementary bipolar UHF-1 process. Each array consists of five dielectrically isolated transistors on a common monolithic substrate. The NPN transistors exhibit a fT of 8GH • NPN transistor (fT) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8GHz\n• NPN current gain (hFE) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130\n• NPN early voltage (VA). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V\n• PNP transistor (fT) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .;	Renesas 瑞萨	Renesas
HFA3096B	文件：57.7 Kbytes Page：9 Pages	Ultra High Frequency Transistor Arrays The HFA3046, HFA3096, HFA3127 and the HFA3128 are Ultra High Frequency Transistor Arrays that are fabricated from Intersil Corporation’s complementary bipolar UHF-1 process. Each array consists of five dielectrically isolated transistors on a common monolithic substrate. The NPN transistors exhibi 文件：57.7 Kbytes 页数：9 Pages	Intersil	Intersil
HFA3096B	文件：298.68 Kbytes Page：13 Pages	Ultra High Frequency Transistor Arrays 文件：298.68 Kbytes 页数：13 Pages	Intersil	Intersil
HFA3096BZ	文件：298.68 Kbytes Page：13 Pages	Ultra High Frequency Transistor Arrays 文件：298.68 Kbytes 页数：13 Pages	Intersil	Intersil

技术参数

NPN or PNP：
NPN/PNP
FT (GHz)：
8
Offset Voltage (Max) (mV)：
5
V (BR) CBO (V)：
18
V (BR) CEO (V)：
12
V (BR) EBO (V)：
6
CCB (pF)：
0.5
CEB (pF)：
0.5
hFE：
70
ICBO (nA)：
0.1
ICEO (nA)：
2
NF (dB)：
3.5
Lead Count (#)：
16
Pkg. Type：
SOICN

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