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HFA3096B	文件：57.7 Kbytes Page：9 Pages	Ultra High Frequency Transistor Arrays The HFA3046, HFA3096, HFA3127 and the HFA3128 are Ultra High Frequency Transistor Arrays that are fabricated from Intersil Corporation’s complementary bipolar UHF-1 process. Each array consists of five dielectrically isolated transistors on a common monolithic substrate. The NPN transistors exhibi 文件：57.7 Kbytes 页数：9 Pages	Intersil	Intersil
HFA3096B	文件：298.68 Kbytes Page：13 Pages	Ultra High Frequency Transistor Arrays 文件：298.68 Kbytes 页数：13 Pages	Intersil	Intersil
HFA3096BZ	文件：699.33 Kbytes Page：14 Pages	丝印：HFA3096BZ；Package：16LdSOIC；Ultra High Frequency Transistor Arrays The HFA3046, HFA3096, HFA3127 and the HFA3128 are Ultra High Frequency Transistor Arrays that are fabricated from Intersil Corporation’s complementary bipolar UHF-1 process. Each array consists of five dielectrically isolated transistors on a common monolithic substrate. The NPN transistors exhibi 文件：699.33 Kbytes 页数：14 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HFA3096BZ	文件：790.14 Kbytes Page：16 Pages	丝印：HFA3096BZ；Package：16LDSOIC；Ultra High Frequency Transistor Arrays Features • NPN transistor (fT) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8GHz • NPN current gain (hFE) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130 • NPN early voltage (VA). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V • PNP transistor (fT) . . . . . . . . . . . . . . . . 文件：790.14 Kbytes 页数：16 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HFA3096BZ96	文件：790.14 Kbytes Page：16 Pages	丝印：HFA3096BZ；Package：16LDSOIC；Ultra High Frequency Transistor Arrays Features • NPN transistor (fT) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8GHz • NPN current gain (hFE) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130 • NPN early voltage (VA). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V • PNP transistor (fT) . . . . . . . . . . . . . . . . 文件：790.14 Kbytes 页数：16 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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详细参数

型号：
HFA3096B
功能描述：
IC TRANS ARRAY NPN/PNP 16-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> RF 晶体管(BJT)
系列：
-
产品变化通告：
Product Discontinuation 17/Dec/2010
标准包装：
1
晶体管类型：
NPN 电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
4.7V 频率 -
转换：
47GHz
噪声系数（dB典型值@频率）：
0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz
增益：
9dB ~ 31dB 功率 -
最大：
160mW 在某 Ic、Vce
时的最小直流电流增益(hFE)：
160 @ 25mA，3V 电流 -
集电极(Ic)（最大）：
45mA
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
4-SMD，扁平引线
供应商设备封装：
4-TSFP
包装：
Digi-Reel®
其它名称：
BFP 740FESD E6327DKR

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