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HFA3046BZ	文件：699.33 Kbytes Page：14 Pages	Marking：HFA3046BZ；Package：14LdSOIC；Ultra High Frequency Transistor Arrays TheHFA3046,HFA3096,HFA3127andtheHFA3128areUltraHighFrequencyTransistorArraysthatarefabricatedfromIntersilCorporation’scomplementarybipolarUHF-1process.Eacharrayconsistsoffivedielectricallyisolatedtransistorsonacommonmonolithicsubstrate.TheNPNtransistorsexhibi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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Marking：HFA3046BZ；Package：14LdSOIC；Ultra High Frequency Transistor Arrays

TheHFA3046,HFA3096,HFA3127andtheHFA3128areUltraHighFrequencyTransistorArraysthatarefabricatedfromIntersilCorporation’scomplementarybipolarUHF-1process.Eacharrayconsistsoffivedielectricallyisolatedtransistorsonacommonmonolithicsubstrate.TheNPNtransistorsexhibi

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Features •NPNtransistor(fT)..........................8GHz •NPNcurrentgain(hFE)........................130 •NPNearlyvoltage(VA)........................50V •PNPtransistor(fT)................

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产品属性

产品编号：
HFA3046BZ
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
5 NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
频率 - 跃迁：
8GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
3.5dB @ 1GHz
功率 - 最大值：
150mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 10mA，2V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
65mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
14-SOIC
描述：
RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 14SOIC

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