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HAF2027-90STL-E	文件：116.62 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel Power MOSFET Power Switching Description This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut-down the gate voltage in case of high junction temperature like applying 文件：116.62 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAF2027-90STR-E	文件：116.62 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel Power MOSFET Power Switching Description This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut-down the gate voltage in case of high junction temperature like applying 文件：116.62 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAF2027L	文件：116.62 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel Power MOSFET Power Switching Description This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut-down the gate voltage in case of high junction temperature like applying 文件：116.62 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAF2027S	文件：116.62 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel Power MOSFET Power Switching Description This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut-down the gate voltage in case of high junction temperature like applying 文件：116.62 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAF70009	文件：107.65 Kbytes Page：10 Pages	56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET This N-Channel power MOSFET is manufactured using the innovative UltraFET™ process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and the d 文件：107.65 Kbytes 页数：10 Pages	INTERSIL	INTERSIL
HAF1004_15	文件：138.87 Kbytes Page：12 Pages	Silicon P Channel MOS FET Series Power Switching 文件：138.87 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAF1004S	文件：1.78871 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：1.78871 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
HAF1008_15	文件：140.74 Kbytes Page：13 Pages	Silicon P Channel MOS FET Series Power Switching 文件：140.74 Kbytes 页数：13 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAF1009_15	文件：126.41 Kbytes Page：12 Pages	Silicon P Channel MOS FET Series Power Switching 文件：126.41 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAF1010RJ	文件：147.65 Kbytes Page：7 Pages	Silicon P Channel MOS FET Series Power Switching 文件：147.65 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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技术参数

输入电压：
80-430
输出功率：
1000W
功率范围：
300W-1KW
输出路数：
1
尺寸（mm）：
117.0*61.2*17.5
输出范围：
9-18V
安全符合：
符合
散热方式：
集成散热
输出电压1：
14VdcV/71.5;A
输出电压2：
V/A
输出电压3：
V/A
输出电压4：
V/A
输出电压5：
V/A

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